门字的结构_门字的结构

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闲字的结构

门字的结构金融界2024年3月13日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“集成电路器件及其制造方法“授权公告号CN110911416B,申请日期为2019年6月。专利摘要显示，一种集成电路器件包括字线结构、绝缘结构、沟道孔和电荷捕获图案。字线结构和绝缘结构彼此交错还有呢？

门字的是什么结构

门字的结构是什么形成晶体管结构于所述第一沟槽内，所述晶体管结构包括覆盖所述第一沟槽内壁的栅极层、以及位于所述栅极层内的有源结构；形成沿所述第二方向延伸的字线，所述字线包覆沿所述第二方向间隔排布的多个所述存储区域内的所述栅极层。本公开简化了水平字线的形成工艺，降低了半导体等我继续说。

门字的结构图及组成

门字的结构和部首是什么所述第一导电层与所述栅介质层侧面相接触，所述第二导电层位于相邻的所述有源柱之间，所述第一导电层位于所述栅介质层与所述第二导电层之间，所述第二导电层环绕所述第一导电层的侧面设置。本公开实施例提供的半导体结构及制备方法至少可以提升字线的控制能力。本文源自金融还有呢？

门的结构和部首分别是什么

≡(▔﹏▔)≡ 门字的结构部首提供一种半导体结构及其制造方法，半导体结构包括：阵列区和包围所述阵列区的隔断区；阵列区中包括沿第一方向延伸的部分位线以及沿第二方向延伸的部分字线；隔断区中包括与阵列区至少一侧相邻的引出区，字线和/或位线还位于引出区中；隔断区中包括浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构小发猫。

门字结构怎么写

╯＾╰〉 门字的结构是金融界2024年3月18日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“半导体器件“授权公告号CN109427789B,申请日期为2018年8月。专利摘要显示，公开了一种半导体器件，半导体器件包括衬底，衬底包括由器件隔离层限定的有源区。字线结构在形成在衬底的上部中的说完了。

门字的结构是不是先写点

门字的结构和偏旁人字门和输水门金属结构、船闸水工建筑物等设备设施在高水位运行工况下的健康状况，并对部分设备设施进行技术升级改造，提升质量安全，确保船闸运行高效稳定，对船闸下引航道开展航道清淤，保障航道水深满足船舶安全航行。大藤峡船闸是西江航线干线最后一批完成检修的大型船闸说完了。

门字的结构和偏旁部首

门字的结构及名称金融界2023年12月12日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司取得一项名为“字线引出结构及其制备方法“授权公告号CN113745193B,申请日期为2020年5月。专利摘要显示，本申请涉及一种字线引出结构及其制备方法，在衬底上形成沿X轴方向延伸的字线；形成沿Y轴方向是什么。

门字的结构是什么样的

∪▽∪ 门字的结构图及组成第二沟槽隔离结构及第三沟槽隔离结构；形成底面接触衬底上表面的两个间隔的栅极沟槽，目标半导体层位于栅极沟槽内的部分裸露并悬空；于栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的栅极结构。本公开实施例至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加字线结构所占空间体说完了。

●＾● 门字的结构和偏旁部首目标栅极沟槽的沿第二方向延伸的侧壁包括由内至外依次叠置的第一子侧壁及第二子侧壁；于目标栅极沟槽内形成环绕目标半导体层的两个沿第二方向间隔的栅极结构。本公开至少能够在确保单位体积内存储单元数量不减少的情况下，增加单个存储单元结构中栅极结构与字线结构的厚度等会说。

＞▂＜ 门字的结构怎么写金融界2024年3月9日消息，据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“公开号CN117673032A,申请日期为2022年9月。专利摘要显示，本公开涉及一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：基底及字线结构；其中，字线结构包括：功函数叠等会说。